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变频节能加热器

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BMS--整车能量供给系统的控制中枢

时间: 2024-02-25 02:50:13 |   作者: 变频节能加热器

  电动汽车是创新驱动的新兴起的产业,完全是由新技术创造出的新需求。在十三五规划建议稿中,已明确要求实施新能源汽车推广计划,提高电动车产业化水平。这在某种程度上预示着中国新能源汽车产业将迎来黄金5年。前景是巨大的,但同样也面临着巨大的挑战,其中很重要的就是自主核心技术的缺失。

  与传统汽车关键的三大件——发动机、底盘以及变速箱不同,新能源电动汽车也有俗称的“三大件”,即电池、电机和电控,而其中很重要的组件就是BMS——电池管理系统。目前市面上的供应商主要为外资半导体厂商。为助力中国新能源汽车产业高质量发展,解决新能源汽车技术发展的瓶颈,央企中国信科集团旗下大唐电信科技股份有限公司(简称:大唐电信)和全球最大的汽车半导体厂商荷兰恩智浦半导体于2014年牵手,成立中国首家汽车半导体企业——大唐恩智浦半导体,定位于新能源汽车,混合动力汽车电源管理和驱动,以及新能源相关的集成电路设计领域,专注自主研发,致力于成为全世界领先的汽车半导体公司。

  电池管理系统(BMS)是车载动力电池与电动汽车的重要纽带,是整车能量供给系统的控制中枢。电池管理系统对新能源汽车的重要性主要体现在以下三个方面:首先,电池管理系统能实时监测动力电池的各项工作参数,保证动力电池安全运作,来保证汽车的安全、可靠运行;其次,电池管理系统提供的监测参数,如动力电池的荷电状态、可用功率等,还能够在一定程度上帮助整车控制管理系统制定合适的控制策略,有利于提高电动汽车的动力性、安全性,降低排放;第三,电池管理系统通过对动力电池工作参数的监测和对电池状态的估计,可以使动力电池工作在最佳工作区,避免过充和过放,提高使用效率、延长常规使用的寿命。总结这三点,核心技术有两个:一是电池状态监控中数据采集的多样性和精确度,二是电池的健康状态管理。

  大唐电信自主研发的锂离子电池监测芯片,是业界首颗基于电化学阻抗谱技术设计的锂离子电池单芯检测芯片。与传统电池监测芯片不同,创新性地集成电压、阻抗和温度的监测功能于一体,以此来实现电子技术与电化学技术的完美结合。

  众所周知,目前在进行SOC(SOC,state of charge)状态估算中主要是通过监测芯片获取电池的电流,进行库仑积分运算,配合电池本身的开路电压情况,加之相关的温度补偿来实现。对于温度补偿,现有的方案是只能反映电池表面温度的热电偶探测方案。针对温度补偿的高精度需求,大唐电信电池监测芯片基于电化学阻抗频谱(EIS)测量技术,通过阻抗、频率、温度的对应关系,无需外部热电耦传感器即获取电池里面温度信息;在节省成本的同时,该方案可以真实反映电芯内部温度,能为BMS计算SOC提供更精确的理论依据。

  此外,电池的健康状态(SOH, state of health)一直是电池管理系统的难点之一,目前国内的SOH估算方法大多采用通过当前电池荷电状态与出厂额定荷电状态比较,配合相关算法进行SOH估算。由于没直接数据用以支撑电池健康状态,如电化学内阻等,其效果并不理想。大唐电信电池管理监测芯片采用的电化学阻抗频谱正是这一问题的良好补充,它使用户能清楚的观察到表示电化学阻抗变化的奈奎斯特(Nyquist)曲线从高频到低频各个阶段的变动情况,基于电池在“满电”“空电”的特性阻抗信息以及电化学阻抗谱分析中的电化学Rsei(固体电解质膜阻抗)和Rct(漂移阻抗)可以使得算法的可靠性和精确度大幅度提高,电池管理系统(BMS)系统供应商能够最终靠电化学阻抗信息逐步优化原有SOH算法,从而提升SOH精度,并为车用锂离子电池的梯次利用提供了更有效、更可靠的数据。

  此外,大唐电信电池管理监测芯片在成本控制上也有很多创新。不同于传统BMS芯片采用非常多的外部连接线,而是单根菊花链通信线即可连接各颗芯片和电池包控制器之间的通信。采用大唐电信的方案,设计会更简洁,系统成本会更经济。

  集微网消息,在5G、超高清和人工智能的新技术浪潮下,国科微和广电运营商一同成长,助力广电运营商加速向智慧广电转变发展方式与经济转型。2020年4月30日,国科微宣布公司自主研发的新一代“全4K 全国标”超高清芯片GK6323在湖南有线和山西广电网络实现规模部署和商用,为用户呈现全新的视听体验,助力智慧广电建设。这也是继去年发布全4K超高清芯片之后,国科微在超高清领域取得的又一重大突破,标志着公司已成为 国内超高清市场的主流芯片供应商 之一。 为贯彻落实工信部、国家广电总局、中央广播电视总台联合印发的《超高清视频产业高质量发展行动计划(2019-2022年)》,湖南有线与山西广电网络联合国科微及产业链上下游,共同研发了新一代全4K DVB+OTT智

  中国政府近年来积极扶持半导体产业,不仅扩大国内投资,更大手笔收购美国加州矽谷的晶片制造商,除导致美国半导体业陷入抵抗或接受的两难外,也引发美国国家安全隐忧。 中国斥资千亿美元投资 中国是全球最大的晶片消费市场,过去晶片多半靠进口,为了扭转这个趋势,决定扶植自家半导体产业。去年6月中国公布“国家集成电路产业推进纲要”,中国依此成立国家集成电路产业投资基金,各地方政府也成立投资基金,将斥资1000亿美元扩大国内投资及进行海外并购,让中国的半导体业在未来5年能以每年逾20%的速度成长。 国际半导体设备材料产业协会(SEMI)副总裁戴维斯(Jonathan Davis)表示:“中国的野心显然是希望从技术的追随者变为领导者

  前段时间,有关Spectre、Meltdown CPU安全漏洞的秘密浮出了水面,Linux和Windows只有重新设计内核才能够修复这些漏洞。漏洞的影响区域之广,英特尔在内的好几大制造商芯片都没有幸免于难,涉及的产品涵括传统的PC、智能手机,甚至是服务器等等。近日,英特尔宣称有90%的受漏洞影响芯片已经通过固件升级得到了修复。 英特尔近日在其博客中证实他们已针对过去5年内亮相的90%的CPU推送了固件升级。尽管如此,英特尔还是坦言他们接下来还将处理更多的工作,尽管这些补丁缓和了安全问题,但有用户投诉称其设备在升级之后频频重启。 起初重启问题还仅限于发生在旧款英特尔芯片上,但现在这家制造商证实以Ivy Bridge、S

  最新外电消息,日本领先的手机制造商夏普(Sharp)正与包括手机运营商在内的二、三十家欧洲公司做谈判,拟向对方供应其双模调谐芯片,用于配备电视功能的移动电话,从而使手机用户首次在美国和欧洲都能观看地面数字电视节目。 据预测,配备电视功能的手机需求在未来5年将增长10倍。此类手机在日本和韩国已经很普遍。 截至目前,由于不同国家的标准相互竞争,在不同的国家——比如德国和英国,同一部手机无法接收到数字电视播放信号。

  网易科技讯 1月5日消息,据VentureBeat报道,继承认不安全的内存漏洞会影响数以百万计的英特尔处理器后,ARM今天证实,许多Cortex系列处理器也存在漏洞。ARM的Cortex技术被用于各种各样的Android和iOS设备,以及部分Nvidia Tegra产品、高通骁龙芯片以及索尼的PlayStation Vita上。 在描述了四种不同的可被利用的处理器漏洞后,ARM发布了一个图表,承认它的Cortex-A8、-A9、-A15、-A17、-A57、-A72、-A73以及-A75芯片都容易受到两个以上漏洞的攻击。前三款Cortex处理器被用于老款苹果iOS、Nvidia Tegra、三星Exynos设备和索尼的P

  众所周知,在如今纷繁复杂的手机市场上,厂商无数,可处理器的选择上则有规律了许多,除了苹果,华为等厂商几乎使用的是自己的 芯片 外,其他厂商多半都会选择高通的骁龙处理器或是 三星 的处理器,当然中低端还有联发科等厂商,在此我们不做赘述。下面就随手机便携小编共同来了解一下相关联的内容吧。   三星将发布新芯片定位中端市场 魅蓝全面屏新机或首发 要说安卓这块的高配置手机的选择,还是得看高通或 三星 ,不过对于了解不多的朋友们来说,高通似乎比 三星 来的还要有名,这倒不是因为产品的性能差距,而是因为三星很多的处理器型号不支持全网通,因此导致出场率稍低。不过,这种尴尬的局面即将被打破!据悉,三星的新处理器Exynos7872就将会是

  天眼查显示,7月2日,立芯精密智造(昆山)有限公司成立,注册资本3亿人民币,法定代表人为郝杰,营业范围含显示器件制造;工业机器人制造;智能机器人的研发;集成电路芯片及产品制造等。股东信息数据显示,该公司由立讯精密工业股份有限公司全资控股。 2021 年第一季度,立讯精密实现盈利收入210.19 亿元,同比增长27.29%;归母净利润13.50 亿元,同比增长37.44%;扣非净利润11.67 亿元,同比增长30.14%。2021年上半年业绩预告显示,其上半年净利润预计在29.18-32.99亿元之间,同比增长15%-30%。 此前供应链传出消息称,立讯精密今年将首度拿下iPhone新机组装单,而且包括高阶款大尺寸机种,总量达千万

  公司 /

  PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,输出电压3.3V~24V可通过FB电阻调整,适用于Buck、Buck-Boost、Flyback等多种架构,大范围的应用于非隔离辅助电源、家电、智能家居、LED等领域。 PN8015 5V0.2A风扇应用方案: ■ 输入电压:90~265V ■ 输出功率:≤1W ■ 输出电压电流: 5V/0.2A ■ 拥有可恢复短路保护,输出过载保护。 电源板输出5V、200mA,供控制板以及驱动可控硅使用;该电源采用非隔离buck-boost 方案,输出端 的5V 与输入线共线。 当芯片内的开关管导通时(Ton),整流过后的直流电流过电感L2,电感L2 储存能

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